BSP299 E6327
מספר מוצר של יצרן:

BSP299 E6327

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

BSP299 E6327-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 400mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21

מלאי:

12850858
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

BSP299 E6327 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
400mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT223-4-21
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SP000011110
BSP299E6327
BSP299E6327T
BSP299 E6327-DG
חבילה סטנדרטית
1,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
onsemi

FDMC86012

MOSFET N-CH 30V 23A POWER33

onsemi

FCA47N60F

MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN

onsemi

FDA59N25

MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN

onsemi

FDP3672

MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220